style="width:3.09333in" /> 本文是学习GB-T 12964-2018 硅单晶抛光片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、
运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200
mm 的
硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12962 硅单晶
GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范
GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 28 硅片包装
YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
GB/T 12964—2018
硅抛光片的牌号表示按GB/T 14844 的规定进行。
4.2.1 硅抛光片按导电类型分为 N 型 、P 型两种。
4.2.2 硅抛光片按表面取向分为常用的{100}、{110}、{111}三种。
4.2.3 硅抛光片按直径分为50.8 mm 、76.2 mm 、100 mm 、125 mm 、150 mm
和200 mm 六种。
硅抛光片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合 GB/T
12962 的规定；硅
抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径)、切口尺寸、参考面位置和切口位置应
符合 GB/T 12965 的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果。
硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化应符合 GB/T 12962 的规定。
硅抛光片的几何参数应符合表1的规定，表1中未包含的几何参数或对表1中几何参数有其他要
求时，由供需双方协商确定。
表 1 几何参数
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GB/T 12964—2018
表1(续)
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(15 mm×15 mm) |
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硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/cm², 或由供需双方协商确定。
150 mm、200 mm
直径硅抛光片表面的单个金属元素(Na、Ca、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn)的含量(原子
数)应不大于5×10¹ °cm²。
150 mm、200 mm直径硅抛光片的体金属(铁)含量(原子数)应不大于5×10¹ °cm-3,
或由供需双方
协商确定。
硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合GB/T12965
的规定，且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允
许有锐利点或凸起物，特殊要求可由供需双方协商确定。
硅抛光片的表面质量应符合表2的规定，其中对局部光散射体(颗粒)的要求可由供需双方协商
确定。
表 2 表面质量
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GB/T 12964—2018
表 2 (续)
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硅抛光片的激光刻字、边缘抛光等其他要求由供需双方协商确定。
6.1 导电类型的测试按GB/T 1550 的规定进行。
6.2 电阻率的测试按 GB/T6616 的规定进行。
6.3 径向电阻率变化的测试按GB/T 11073 的规定进行。
6.4 厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618 或 GB/T 29507
的规定进行，仲裁时按GB/T 29507 的规 定进行。
6.5 弯曲度的测量按 GB/T 6619 的规定进行。
6.6 翘曲度的测量按GB/T 6620 或 GB/T 32280 的规定进行，仲裁时按GB/T 32280
的规定进行。
6.7 总平整度的测量按 GB/T 6621或 GB/T 29507 的规定进行，仲裁时按GB/T
29507 的规定进行。
6.8 局部平整度的测量按GB/T 29507 的规定进行。
6.9 氧化诱生缺陷的检验按 GB/T4058 的规定进行。
6.10 表面金属含量的测定按 GB/T24578
的规定进行，或按供需双方协商的方法进行。
6.11 体金属(铁)含量的测定按YS/T679
的规定进行，或按供需双方协商的方法进行。
6.12 边缘轮廓的检验按 YS/T 26 的规定进行。
6.13 表面质量(除局部光散射体外)的检验按GB/T 6624 的规定进行。
6.14 局部光散射体(颗粒)的检验按 GB/T 19921 的规定进行。
GB/T 12964—2018
7.1.1
产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规
定，并填写产品质量证明书。
7.1.2
需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定不符时，应在收
到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。
产品以成批的形式提交验收，每批应由同一牌号、相同规格的硅抛光片组成。每批硅抛光片应不少
于25片。
7.3.1
每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量(除局部光散射体
外)进行检验。
7.3.2
导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部
光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定。
7.4.1 非破坏性检验项目的检验取样按 GB/T
进行，或由供需双方协商确定抽样方案。
7.4.2 破坏性检验项目的检验取样按 GB/T
进行，或由供需双方协商确定抽样方案。
2828. 1—2012 一般检验水平Ⅱ、正常检验一次抽样方案
2828.1—2012 特殊检验水平 S-2、正常检验 一 次抽样方案
7.5.1
导电类型的检验结果中若有一片不合格，则判该批产品为不合格。其他检验项目的接收质量限
(AQL) 见 表 3 。
表 3 接收质量限
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GB/T 12964—2018
表 3 (续)
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7.5.2
氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验
结果判定由供需双方协商确定。
7.5.3
抽检不合格的产品，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可以重新组批。
8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
硅抛光片的包装箱内应有装箱单，外侧应有"小心轻放""防潮""易碎""防腐"等标识，并标明：
a) 供方名称；
b) 产品名称、牌号；
c) 产品件数或数量。
硅抛光片的包装按 YS/T 28 的规定执行，或由供需双方协商确定。
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。
产品应贮存在清洁、干燥的环境中。
每批产品应有质量证明书，其上写明：
a) 供方名称；
b) 产品名称、牌号；
c) 产品批号；
d) 产品片数(盒数);
e) 各项参数检验结果和检验部门的印记；
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f) 本标准编号；
g) 出厂日期。
本标准所列产品的订货单(或合同)应符合GB/T32279
GB/T 12964—2018
的规定，或由供需双方协商确定。
更多内容 可以 GB-T 12964-2018 硅单晶抛光片. 进一步学习